昨天比亞迪在寧波開了一場發(fā)布會，沒發(fā)新車，發(fā)了一款芯片。

像比亞迪這樣的車企確實挺「奇葩」的，從數(shù)碼 3C 的電池到汽車動力電池，再到整車制造，無所不通。

近日，比亞迪再次刷新了坊間對其公司業(yè)務的認知，比如說不聲不響弄了個芯片。

這塊芯片有個并不太好讀的縮寫 IGBT，全拼和中文名是這樣的 Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管芯片。

先交代一下，這不是比亞迪的發(fā)明，你馬路上見到的新能源車上都搭載了 IGBT，但供應廠商無非就德、日、中三國那么幾家。

為數(shù)不多主機廠里頭自主在研發(fā) IGBT 的，除了比亞迪，豐田算一個，其余基本都依賴英飛凌等供應商。

一般主機廠「越俎代庖」干了供應商的活兒，原因很簡單，關鍵零部件不想被供應商「掐住」脖子，同時做到成本可控。

從手機 PC 到現(xiàn)在的汽車，芯片之爭格外激烈，不少國產品牌喊出了「國產芯」的口號，為了這個目標，比亞迪在半導體行業(yè)已經(jīng)努力了十余年。

IGBT，電動汽車的「命根子」

對于電動車而言，IGBT 直接控制驅動系統(tǒng)直、交流電的轉換，決定了車輛的扭矩和最大輸出功率等。在車內，IGBT 芯片的重要性不亞于電池電芯。

了解電車結構的人肯定知道，電車不是想象中的接電就走，電控系統(tǒng)格外重要，怎么高效地運用電能是考驗工程師的一個重要命題。

從汽車到地鐵、高鐵等軌道交通等等一切用電驅動的載具中，IGBT 無處不在，具體由封裝形式不同分為模塊和單管，最基礎的還是芯片晶圓。

很容易想象，電壓越高，對于 IGBT 的要求也就更大。從車用的 600V 到軌道交通的 1100V-3000V，電流都需要 IGBT 來「駕馭」。

原理類似于喊了很多年的變頻空調，在車里頭，IGBT 也是通過改變電流的頻率來實現(xiàn)電機的轉速，從而輸出所需的動力。

另一方面，除了能「駕馭」電流，IGBT 還需要保證能耗。眾所周知，「發(fā)熱」是電子元器件的致命殺手，為了保證元件能夠正常運行，發(fā)熱就需要散熱，這也就意味著車輛需要額外的電量去維持溫度。

一來二去，能量的損耗將大大影響電車的續(xù)航，所以從源頭上抑制發(fā)熱是關鍵。

無論是車輛性能還是續(xù)航表現(xiàn)，IGBT 都扮演了非常重要的角色。目前，幾乎所有的比亞迪新能源車都搭載了自主研發(fā)的 IGBT，只能說全新一代唐 EV 百公里 4.4S 加速能力和等速 600 公里續(xù)航絕非偶然。

「造芯」很難，比亞迪發(fā)布的 IGBT 4.0 有什么特點

和所有芯片一樣，IGBT 的研發(fā)制造同樣設計門檻高、制造技術難、投資大。

我們來看一下官方的「硬核」科普

芯片要求：

IGBT 芯片僅有人的指甲大小，但卻要在其上蝕刻十幾萬乃至幾十萬的微觀結構電路，僅能在顯微鏡下查看。

IGBT 芯片設計難度高：IGBT 雖然是一個開關器件，但涉及到的參數(shù)多達十幾個，很多參數(shù)之間是相互矛盾，需要根據(jù)應用折衷考慮。

晶圓制造工藝難度大：最主要體現(xiàn)在薄片加工處理上。采用最新的 1200V FS 技術的 IGBT，需要將晶圓減薄到 120um（約兩根頭發(fā)絲直徑）的厚度，再進行 10 余道工序加工。

晶圓制造的廠房潔凈度要求非常高，需要一級凈化。一個零點幾微米的微塵掉落在晶圓上，就會造成一顆 IGBT 芯片失效。

至于加裝到車里還需要考慮到模塊化等等，和數(shù)碼 3C 產品「舒適」的工作環(huán)境不同，車規(guī)級芯片還要應對嚴苛的行車工況。

相比市面上的主流產品，比亞迪宣稱自家的 IGBT 4.0 具備以下優(yōu)勢：

1.   電流輸出能力較當前市場主流的 IGBT 高 15%，支持整車具有更強的加速能力和更大的功率輸出能力。

2.   同等工況下，綜合損耗較當前市場主流的 IGBT 降低了約 20%，整車電耗顯著降低。

3.   溫度循環(huán)壽命可以做到當前市場主流 IGBT 的 10 倍以上。

另一方面就是成本，比亞迪介紹，目前市面上主流的車載 IGBT 成本占到整車的 5% 左右，短期內還在持續(xù)上漲。通過規(guī)模化量產，比亞迪希望進一步降低成本，拉低。

目前比亞迪位于寧波的半導體工廠的月產五萬片晶圓，理論上能夠配備五萬輛新車。按照規(guī)劃，這家工廠的年產能有望做到十萬片，除了自給自足外，還可以提供給其他主機廠使用。

最后一個彩蛋是，比亞迪宣布，在材料上進一步突破，有望于 2019 年推出搭載 SiC 電控的電動車。預計到 2023 年，比亞迪將在旗下的電動車中，實現(xiàn) SiC 基車用功率半導體對硅基 IGBT 的全面替代，將整車性能在現(xiàn)有基礎上再提升 10 %。

SiC 具備高耐壓、低損耗、高效率的特性，是替代 Si 的第三代半導體材料

【來源：愛范兒】