來源：新浪VR

9月25日消息，據國外媒體報道，今年一季度順利量產5nm工藝的臺積電，正在研發更先進的3nm和2nm芯片制程工藝，3nm工藝是計劃在明年風險試產，2022年下半年大規模投產。

3nm工藝投產之后，臺積電下一步將投產的就將是2nm工藝，在2019年的年報中，臺積電首次披露他們在研發2nm工藝。

在本周早些時候的報道中，外媒稱臺積電2nm工藝的研發已取得重大進展，研發進入了高級階段，先于他們的計劃。

在量產時間方面，外媒在報道中指出，臺積電對2nm工藝在2023年年底的風險試產良品率達到90%非常樂觀。

外媒根據目前的研發進展推測，臺積電的2nm工藝將在2023年風險試產，2024年大規模投產。

臺積電的2nm工藝若如外媒報道的那樣在2023年風險試產、隨后一年大規模投產，也就意味著他們仍將保持兩年投產一代新工藝的節奏。

臺積電的7nm工藝是在2018年的4月份大規模投產的，5nm工藝在今年一季度投產，中間相隔約兩年；

5nm之后的3nm工藝，計劃在2021年風險試產、2022年下半年大規模投產，雖然距5nm工藝大規模投產的時間間隔超過兩年，但量產時間大概率會提前，屆時間隔預計也在兩年左右。

對于臺積電的2nm工藝，外媒此前曾報道稱將會采用環繞柵極晶體管技術（GAA），不會繼續采用鰭式場效應晶體管技術。

2nm工藝在2023年開始風險試產，也就意味著臺積電需要開始謀劃利用2nm工藝生產芯片的工廠。

對于工廠，外媒在上周的報道中曾提到，臺積電負責營運組織的資深副總經理秦永沛，透露他們計劃在新竹建設2nm工藝的芯片生產工廠，建設工廠所需的土地已經獲得。

臺積電董事長劉德音目前也透露，他們可能會擴展位于臺中的晶圓十五廠，以增加2nm工藝的產能。